型号:  TK40P04M1(T6RSS,Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) Case DP T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  40V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  40A

Rds（最大）@ ID，VGS：  11 mOhm @ 20A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.3V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  29nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1920pF @ 10V

功率 - 最大：  60W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  DP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3Case DP

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  40 V

最大连续漏极电流：  40 A

RDS -于：  11@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型上升时间：  20 ns

典型下降时间：  18 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  6.1

PCB：  2

最大功率耗散：  47000

最大漏源电压：  40

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  11@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  Case DP

标准包装名称：  DP

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.6

引脚数：  3

包装高度：  2.3

最大连续漏极电流：  40

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  40A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.3V @ 200µA

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商设备封装：  DP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  11 mOhm @ 20A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  60W

漏极至源极电压（Vdss）：  40V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1920pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  29nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  40 A

RDS（ON）：  10.3 mOhms

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  47 W

栅极电荷Qg：  29 nC

典型关闭延迟时间：  63 ns

上升时间：  20 ns

漏源击穿电压：  40 V