型号: TK46E08N1,S1X(S
功能描述: Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK46E08N1,S1X(S, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 80 A
最大漏源电压: 80 V
最大漏源电阻值: 8.4 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-220
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 开关调节器
最大功率耗散: 103 W
典型接通延迟时间: 30 ns
典型关断延迟时间: 51 ns
典型输入电容值@Vds: 2500 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs: 37 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
系列: U-MOSVIII-H
每片芯片元件数目: 1
宽度: 4.45mm
长度: 10.16mm
高度: 15.1mm
尺寸: 10.16 x 4.45 x 15.1mm
正向二极管电压: 1.2V
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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