型号:  TK4A60D(Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  600V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.7 Ohm @ 2A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  12nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  600pF @ 25V

功率 - 最大：  35W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220SIS

包装材料 ：  Tube

包装：  3TO-220NIS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  600 V

最大连续漏极电流：  4 A

RDS -于：  1700@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  18 ns

典型下降时间：  8 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk