型号:  TK4P55DA(T6RSS-Q

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 550V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  550V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  2.45 Ohm @ 1.8A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  9nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  380pF @ 25V

功率 - 最大：  80W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  D-Pak

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  550 V

最大连续漏极电流：  3.5 A

RDS -于：  2450@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  15 ns

典型下降时间：  7 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Standard

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4.4V @ 1mA

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商设备封装：  D-Pak

其他名称：  TK4P55DAT6RSSQ

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  2.45 Ohm @ 1.8A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  80W

漏极至源极电压（Vdss）：  550V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  380pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  9nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

产品种类：  MOSFET

RoHS：  RoHS Compliant