型号: TK4P60DB(T6RSS-Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK4P60DB -
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 540pF @ 25V
功率 - 最大值： 80W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： D-Pak
其它名称： TK4P60DBT6RSSQ
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