TK58E06N1,S1X规格参数_TK58E06N1,S1X全国代理商/分销商

型号: TK58E06N1,S1X
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK58E06N1 -
特色产品： Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
标准包装： 50
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装：管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 58A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.4 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3400pF @ 30V
功率 - 最大值： 110W
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： TK58E06N1S1X