型号: TK5Q60W,S1VQ
功能描述: MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 5.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 10.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
商标名: DTMOSIV
高度: 6.1 mm
长度: 6.65 mm
系列: TK5Q60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 2.3 mm
商标: Toshiba
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 75
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 4 g
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