型号: TK60D08J1(Q)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 86nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5450pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 140W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7.8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220（W）
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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