型号: TK62J60W,S1VQ
功能描述: MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 61.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
系列: TK62J60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 58 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 310 ns
典型接通延迟时间: 115 ns
单位重量: 7 g
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