型号: TK65G10N1
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TK65G10N1, 136 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 136 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 4.5 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： D2PAK
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 156 W
典型接通延迟时间： 44 ns
典型关断延迟时间： 85 ns
典型输入电容值@Vds： 5400 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs： 81 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 10.27mm
长度： 10.35mm
高度： 4.46mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 10.35 x 10.27 x 4.46mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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