型号: TK6A65D(STA4,Q)
功能描述: Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
制造商: toshiba
包装: 3TO-220SIS
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 650 V
最大连续漏极电流: 6 A
RDS -于: 1110@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型上升时间: 25 ns
典型下降时间: 10 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Through Hole
标准包装: Tape & Reel
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