型号: TK6A65D(STA4,X,M)
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 6 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 1.11 0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： SC-67
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 45 W
典型接通延迟时间： 60 ns
典型关断延迟时间： 75 ns
典型输入电容值@Vds： 1050 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 20 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： TK
宽度： 4.5mm
高度： 15mm
每片芯片元件数目： 1
长度： 10mm
尺寸： 10 x 4.5 x 15mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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