型号: TK6P65W,RQ
功能描述: MOSFET Power MOSFET N-Channel
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 5.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 890 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: TK6P65W
宽度: 5.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
单位重量: 4 g
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：聂小梅
电话：13560767759
Q Q:
联系人：吴先生，朱小姐
电话：13602281160
Q Q:
联系人：刘先生
Q Q:
