型号: TK6P65W,RQ(S
功能描述: MOSFET N-Ch 650V 5.8A 2.5-3.5V DPAK
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 5.8 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 1.05 0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最小栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器 MOSFET
最大功率耗散： 60 W
最高工作温度： +150 °C
长度： 6.6mm
每片芯片元件数目： 1
高度： 2.3mm
正向二极管电压： 1.7V
系列： DTMOSIV
宽度： 6.1mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 11 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 390 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 45 ns
典型接通延迟时间： 34 ns
尺寸： 6.6 x 6.1 x 2.3mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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