型号: TK8S06K3L
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TK8S06K3L, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 8 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 80 m0hms
最大栅阈值电压: 3V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: DPAK
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 25 W
高度: 2.3mm
正向二极管电压: 1.2V
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 6.5 x 7 x 2.3mm
长度: 6.5mm
汽车标准: AEC-Q101
典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 400 pF @ 10 V
典型关断延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
最高工作温度: +175 °C
宽度: 7mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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