型号: TK9A60D(STA4,Q,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK9A60D -
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 830 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1200pF @ 25V
功率 - 最大值： 45W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商器件封装： TO-220SIS
其它名称： TK9A60D(STA4QM)TK9A60DSTA4QM
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