型号: TP65H300G4LSG
功能描述: GAN FET N-CH 650V PQFN
制造商: Transphorm
包装: 托盘
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 312毫欧 @ 5A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 9.6nC @ 8V
Vgs（最大值）: ±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 760pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 21W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 3-PQFN（8x8）
封装/外壳: 3-PowerDFN
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