型号: TPC6012(TE85L,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 20 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 630pF @ 10V
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装： VS-6（2.9x2.8）
其它名称： TPC6012(TE85LFM)TPC6012TE85LFM
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