型号: TPC6107(TE85L,F,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 9.8nC @ 5V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 680pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 700mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 55 毫欧 @ 2.2A，4.5V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: VS-6（2.9x2.8）
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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