型号:  TPC6109-H(TE85L,F)

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin VS T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  59 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  12.3nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  490pf @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装：  VS-6 (2.9x2.8)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6VS

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  5 A

RDS -于：  59@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型上升时间：  5.1 ns

典型下降时间：  8 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel