型号: TPC6113(TE85L,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 55 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 690pF @ 10V
功率 - 最大值: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: VS-6(2.9x2.8)
其它名称: TPC6113(TE85LFM)TPC6113TE85LFM
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