型号: TPC8125
功能描述: Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8125, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
制造商: Toshiba
通道类型： P
最大连续漏极电流： 10 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 17 m0hms
最大栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -25 V，+20 V
封装类型： SOP
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.9 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 4.9mm
高度： 1.52mm
系列： TPC
宽度： 3.9mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 64 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2580 pF @ -10 V
典型关断延迟时间： 245 ns
典型接通延迟时间： 16 ns
尺寸： 4.9 x 3.9 x 1.52mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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