型号: TPC8207(TE12L,Q,M)
功能描述: MOSFET N-ch 20V 6A 0.020 ohm
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 3,000
FET 型 ： 2 N-Channel (Dual)
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 6A
Rds（最大）@ ID，VGS： 20 mOhm @ 4.8A, 4V
VGS（TH）（最大）@ Id： 1.2V @ 200µA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 22nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 2010pF @ 10V
功率 - 最大： 750mW
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件封装： 8-SOP (5.5x6.0)
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：郝磊
电话：18630278774
Q Q:
联系人：小李
电话：15112382810
Q Q:
联系人：刘小媛
电话：13554955010
Q Q:
