型号: TPC8211(TE12L,Q,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 36 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1250pF @ 10V
功率 - 最大值： 450mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOP（5.5x6.0）
联系人：王静
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