型号: TPC8211(TE12L,Q,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5.5A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 36 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1250pF @ 10V
功率 - 最大值: 450mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP(5.5x6.0)
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