型号: TPC8221-H,LQ(S
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 25 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 830pF @ 10V
功率 - 最大值： 450mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOP
其它名称： TPC8221-HLQ(STPC8221HLQS
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