型号:  TPC8A01(TE12L)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8.5A 8-Pin SOP T/R

制造商:  Toshiba

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A, 8.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  25 mOhm @ 3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  17nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  940pF @ 10V

功率 - 最大：  750mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP (5.5x6.0)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOIC

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  25@10V@Q 1|18@10V@Q 2

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  SOP

最大功率耗散：  1500

最大连续漏极电流：  6@Q 1|8.5@Q 2

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing