型号: TPCA8052-H
功能描述: Toshiba TPC 系列 Si N沟道 MOSFET TPCA8052-H, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 20 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 13.1 m0hms
最大栅阈值电压： 2.3V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOP 高级
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 30 W
高度： 0.95mm
系列： TPC
宽度： 5mm
典型接通延迟时间： 8.4 ns
典型关断延迟时间： 35 ns
典型输入电容值@Vds： 1620 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs： 25 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
最高工作温度： +150 °C
尺寸： 5 x 5 x 0.95mm
每片芯片元件数目： 1
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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