型号: TPCC8006-H(TE12LQM
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 27nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2200pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），27W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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