型号: TPCC8103(TE12L,QM)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1600pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），27W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 9A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：汪小姐
电话：13826552025
Q Q:
联系人：李生
电话：13922231491
Q Q:
联系人：李光祥
电话：18811873364
Q Q:
