型号: TPCC8103(TE12L,QM)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 38nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1600pF @ 10V
功率耗散(最大值): 700mW(Ta),27W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 12 毫欧 @ 9A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-TSON Advance(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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