TPCF8101(TE85L,F,M规格参数_TPCF8101(TE85L,F,M全国代理商/分销商

型号: TPCF8101(TE85L,F,M
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 4,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 28 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1600pF @ 10V
功率 - 最大值： -
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装： VS-8（2.9x1.9）
其它名称： TPCF8101(TE85L,F)TPCF8101(TE85L,F)-NDTPCF8101(TE85LFMTRTPCF8101FTRTPCF8101FTR-ND