型号:  TPCF8303(TE85L,F)

功能描述:   MOSFET PW TR P-Ch -20V -3A

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  2 P-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  58 mOhm @ 1.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  11nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  860pF @ 10V

功率 - 最大：  530mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

连续漏极电流：  3 A

栅源电压（最大值）：  �8 V

功率耗散：  1.35 W

安装：  Surface Mount

漏源导通电阻：  0.058 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  VS

封装：  Tape and Reel

引脚数：  8

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No