型号:  TPCF8402(TE85L)

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin VS T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  N and P-Channel

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4A, 3.2A

Rds（最大）@ ID，VGS：  50 mOhm @ 2A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  10nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  470pF @ 10V

功率 - 最大：  530mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8VS

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  4 A

RDS -于：  72@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型上升时间：  5.2 ns

典型下降时间：  4 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  VS

最低工作温度：  -55

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  72@10V

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  VS

最大功率耗散：  1350

最大连续漏极电流：  4

引脚数：  8