型号: TPH3212PS
功能描述:
制造商: Transphorm
FET 类型： N 沟道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.6V @ 400uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 8V
Vgs（最大值）： ±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1130pF @ 400V
功率耗散（最大值）： 104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 72 毫欧 @ 17A，8V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13544084106
Q Q:
联系人：黄先生
电话：83244846
Q Q:
联系人：侯伟
电话：84198120
Q Q:
