型号: TPH4R50ANH
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TPH4R50ANH, 93 A, Vds=100 V, 8引脚 SOP封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 93 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 4.5m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOP
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 78 W
典型接通延迟时间： 25 ns
典型关断延迟时间： 52 ns
典型输入电容值@Vds： 4000 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs： 58 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 5mm
高度： 0.95mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 5 x 5 x 0.95mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13612342533
Q Q:
联系人：吴惠青
电话：15322247851
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：18565748926
Q Q:
