型号: TPH6R003NL
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TPH6R003NL, 57 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 57 A
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 8.3 m0hms
最大栅阈值电压: 2.3V
最小栅阈值电压: 1.3V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: SOP
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 8
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 34 W
长度: 5mm
正向二极管电压: 1.2V
尺寸: 5 x 5 x 0.95mm
典型输入电容值@Vds: 1050 pF @ 15 V
典型接通延迟时间: 11 ns
典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10 V
高度: 0.95mm
每片芯片元件数目: 1
最高工作温度: +150 °C
典型关断延迟时间: 18 ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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