型号:  TPN1R603PL,L1Q

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSON-Advance-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  188 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  41 nC

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  104 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  3.1 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.1 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.3 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  42 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

单位重量:  20 mg