型号: TPN22006NH,LQ(S
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 9A 10uA TSON8 Advance
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 21 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 64 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TSON
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 8
通道模式： 增强
类别： 开关调节器 MOSFET
最大功率耗散： 18 W
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 3.1 x 3.1 x 0.85mm
宽度： 3.1mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 12 nC @ 10 V
高度： 0.85mm
系列： U-MOSVIII-H
典型输入电容值@Vds： 710 pF @ 30 V
典型关断延迟时间： 13 ns
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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