型号:  TPN2R503NC,L1Q

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSON-Advance-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  85 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  40 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  35 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  3.1 mm

系列:  TPN2R503NC

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.1 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  24 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  68 ns

典型接通延迟时间:  14 ns