型号: TPN2R203NC,L1Q(M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 500uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 45A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.3V @ 500uA
漏源导通电阻: 2.2mΩ @ 22.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 700mW
类型: N沟道
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：於R
电话：13713999519
Q Q:
联系人：蓝维雪
Q Q:
联系人：任亚洲
电话：13549237550
Q Q:
