型号: TPN6R303NC,LQ(S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 200uA 漏源导通电阻：6.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 2.3V @ 200uA
漏源导通电阻: 6.3mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 19W(Tc)
类型: N沟道
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