型号: TPS1100DG4
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
制造商产品页： TPS1100DG4 Specifications
标准包装： 75
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 791mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC
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