型号: TPS1100DRG4
功能描述: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
制造商: Texas Instruments
产品种类： MOSFET
晶体管极性： P-Channel
汲极/源极击穿电压： 15 V
闸/源击穿电压： - 15 V, 2 V
漏极连续电流： 1.6 A
导通电阻： 180 mOhms
配置： Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度： + 125 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOIC-8
封装： Reel
商标： Texas Instruments
下降时间： 10 ns
最小工作温度： - 40 C
功率耗散： 791 mW
上升时间： 10 ns
系列： TPS1100
工厂包装数量： 2500
典型关闭延迟时间： 13 ns
单位重量： 76 mg
ROHS： 无铅
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