型号: TPS1101DRG4
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
制造商产品页： TPS1101DRG4 Specifications
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 11.25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 791mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：李先生
电话：18948176968
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
BLUE WHALE COMPUTER INDUSTRIAL CORP
联系人：SHEENA
Q Q:
联系人：魏小凡
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15768119549
Q Q:
