型号: TPW1R306PL,L1Q
功能描述: MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSOP-Advance-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 260 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.29 mOhms
Qg-栅极电荷: 91 nC
Pd-功率耗散: 170 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.73 mm
长度: 5 mm
系列: U-MOSIX-H
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
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