型号: TSM058N06PQ56
功能描述: MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 70 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 118 nC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN-56-8
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：黄小姐
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Q Q:
联系人：陈
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Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
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Q Q:
联系人：王小康
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Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
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Q Q:
联系人：吴洪毅
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Q Q:
联系人：庄小姐
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Q Q:
联系人：谭纽
电话：17317316502
Q Q:
