型号: TSM088NA03CR RLG
功能描述: MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN56-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 61 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 12.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 56 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: Rectifiers
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 45 S
下降时间: 3.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25.5 ns
典型接通延迟时间: 9.6 ns
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