型号: TSM180N03PQ33 RGG
功能描述: MOSFET 30V N 25Amp 18mohm channel Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN33-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 4.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 21 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.2 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 15.8 ns
典型接通延迟时间: 2.8 ns
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈亿宏
电话：13682435650-
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13728938094
Q Q:
