型号:  TSM1N80CW

功能描述:  MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  300 mA

Rds On-漏源导通电阻:  18 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  0.36 S

下降时间:  25 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  20 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

单位重量:  250 mg