型号: TSM1NB60CHC5G
功能描述: MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 500 mA
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
晶体管极性: N-Channel
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
封装: Tube
商标: Taiwan Semiconductor
工厂包装数量: 1875
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