型号: TSM1NB60SCT B0
功能描述: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 500mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 10 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 6.1nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 138pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
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